SEMiX453GB12E4s MODULO IGBT DOBLE 683A 1200V

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SEMiX453GB12E4s
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Transistor, Polaridad       Canal N Dual
Corriente de Colector DC     683A
Voltaje de Saturación Colector Emisor   1.8
Disipación de Potencia Pd    Temperatura de Union, Tj Máx.   175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo   1.2k  No. de Pine 20Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor  1.2
Montaje de Transistor  Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)  No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT  Doble
Corriente del Colector Continua   683A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)  1.8V Disipación de Potencia

Temperatura de Trabajo Máx. 175

Tecnología IGBT IGBT 4 [Zanja]

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