Tipo de módulo semiconductor: IGBT
Estructura del semiconductor: transistor/transistor
Topología: medio puente IGBT
Tensión de retorno máx.: 1,2kV
Corriente de colector: 100A
Carcasa: AG-34MM-1
Montaje eléctrico: atornillado
Tensión entrada – emisor: ±20V
Corriente de colector en impulso: 200A
Poder disipado: 700W
Montaje mecánico: atornillado
